Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP

Авторы
Васильев М.Г. 1 , Васильев А.М. 1 , Изотов А.Д. 1 , Шелякин А.А. 1
Journal
Неорганические материалы
Номер выпуска
9
Язык
Russian
Страницы
963-967
Статус
Published
Том
50
Год
2014
Организации
  • 1 Peoples Friendship University of Russia
Цитировать
ГОСТ MLA RIS BibTex
Поделиться

Другие записи