High-temperature buried InP/GaInAsP heterostructure laser diode emitting at 1310 nm

Авторы
Vasil'ev M.G. 1 , Vasil'ev A.M. 1 , Izotov A.D. 1 , Shelyakin A.A. 1
Journal
Inorganic Materials
Номер выпуска
9
Язык
English
Страницы
888-891
Статус
Published
Том
50
Год
2014
Организации
  • 1 Peoples Friendship University of Russia
Цитировать
ГОСТ MLA RIS BibTex
Поделиться

Другие записи