Радиационно-индуцированный гальванический эффект, наблюдаемый в интерфейсе металл-диэлектрик

Исследуется эффект, наблюдающийся при взаимодействии электромагнитного излучения (энергия квантов 25-1000 eV) с диэлектриком, имеющим металлическое покрытие. Источником излучения служил мегаамперный Z-пинч. Измерения, проведенные с образцами оптического стекла, показали, что под действием излучения (мощность ~106 W/сm2) в электрической цепи, включающей металлизированный диэлектрик, возникает ток. Авторы считают, что причиной данного гальванического эффекта является генерация в диэлектрике горячих" электронов.

The radiation-induced galvanic effect at a metal–dielectric interface

The effect observed upon interaction between the electromagnetic radiation with quantum energy of 25–1000 eV and a dielectric with metal coating is investigated. The radiation source was a megampere Z-pinch. Measurements performed on optical glass samples showed that radiation with a power of ~106 W/cm2 in the electric circuit switching on the metalized dielectric induces the current. It is shown that the observed galvanic effect originates from the generation of hot electrons in the dielectric.