Расчетная оценка адсорбционно-десорбционного поведения продуктов пиролиза при получении GaAsxP1 –x в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Методом расчета функционала электронной плотности определены потенциалы адсорбции и десорбции продуктов пиролиза с подложкой в процессе роста GaAs_xP_{1– x}/GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии. На основании полученных данных произведена симуляция поведения продуктов пиролиза на поверхности роста с учетом адсорбции, десорбции и диффузии кинетическим методом Монте-Карло. Результаты расчетной оценки хорошо согласуются с экспериментальными данными. Представленный алгоритм расчета может быть использован для исследования адсорбционно-десорбционного поведения материалов других систем.