International Journal on Minority and Group Rights. Том 10. 2003. С. 203-220
Обобщены результаты исследования физических свойств и электронной структуры твердых растворов HfxTa1 – xC. Впервые изучены рентгеновские эмиссионные N3-спектры тантала Ta в карбидах на основе гафния и тантала, положение и интенсивность пиков сопоставлены с результатами расчетов электронной зонной структуры HfxTa1 – xC для х = 0, 0.25, 0.5, 0.75. Установлено, что инверсия интенсивности пиков при увеличении концентрации гафния происходит из-за немонотонного изменения плотности Та 5d-состояний в валентной зоне этих соединений.