Buffer layer effect on the structural and electrical properties of rubrene-based organic thin-film transistors

Авторы
Seo J.H. 1 , Park D.S. 1 , Cho S.W. 1 , Kim C.Y. 1 , Jang W.C. 1 , Whang C.N. 1 , Yoo K.-H. 1 , Chang G.S. 2 , Pedersen T. 2 , Moewes A. 2 , Chae K.H. 3 , Cho S.J. 4
Журнал
Applied Physics Letters
Издательство
American Institute of Physics
Номер выпуска
16
Язык
Английский
Статус
Опубликовано
Том
89
Год
2006
Организации
  • 1 Institute of Physics and Applied Physics|Yonsei University
  • 2 Department of Physics and Engineering Physics|University of Saskatchewan
  • 3 Division of Materials Science and Technology|Korea Institute of Science and Technology
  • 4 Department of Physics|Kyungsung University
Цитировать
ГОСТ MLA RIS BibTex
Поделиться

Другие записи