ТЕХНОЛОГИЯ И ПАРАМЕТРЫ ЗАРОЩЕННОГО ЛАЗЕРНОГО ДИОДА С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 1310 НМ, РАБОТАЮЩЕГО В СВЧ-ДИАПАЗОНЕ

Методом жидкофазной эпитаксии выращены наногетероструктуры InGaAsP/InP и исследовано их структурное совершенство. На основе выращенных наногетероструктур созданы лазерные диоды спектрального диапазона длин волн 13101550 нм с зарощенным каналом в p-подложке InP. Конструкция зарощенного меза-полоскового диода с использованием полуизолирующего соединения А^IIВ^VI позволила создать лазерные диоды, работающие на длине волны 1310 нм со скоростью передачи телекоммуникационного сигнала до 5.5 ГГц. Показана технологичность и воспроизводимость полученных результатов. Проанализированы перспективы дальнейшего увеличения скорости передачи оптического сигнала.