Изучение эпитаксиального соответствия карбида кремния на кремнии

В работе дана краткая характеристика метода каналирования ионов в материале, позволяющего однозначно интерпретировать наличие/отсутствие структурной гетероэпитаксии. Описаны структурные особенности кристаллического строения Si и SiC. Приведены экспериментальные данные, доказывающие наличие гетероэпитаксии в структурной композиции SiC (00l)/Si (111) для пленки политипа карбида кремния 6Н толщиной 100 нм.

Study of silicon carbide epitaxy on silicon substrate

The work presents a short description of the ion beam channeling method for material diagnostics. It makes possible to explain the presence / absence of structure heteroe- pitaxy. Peculiarities of Si and SiC crystal construction are discussed. Experimental data are presented proving the heteroepitaxy existence in SiC (00l)/Si (111) structural composition when the carbon sili-cide coating has 6H polytype modification with the thickness 100 nm.