КРИТИЧЕСКАЯ ТОЛЩИНА В ИЗЛУЧАЮЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GAN/INGAN

В статье приведено исследование по определению критической толщины излучающих гетероструктур GaN/InGaN с активной областью в виде квантовой ямы InGaN. Проведен теоретический расчет критической толщины, экспериментально определена энергия активации роста дислокаций несоответствия.

CRITICAL THICKNESS OF EMITTING GAN/INGAN HETEROSTRUCTURES

The article investigated the critical thickness of the emitting heterostructure GaN/InGaN with a quantum well. The critical thickness is calculated theoretically, the energy at the onset of relaxation is determined experimentally.