International Journal on Minority and Group Rights. Том 10. 2003. С. 203-220
Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP
Авторы
Журнал
Номер выпуска
9
Язык
Русский
Страницы
963-967
Статус
Опубликовано
Том
50
Год
2014
Организации
- 1 Росcийский университет дружбы народов
Поделиться
Другие записи
Неорганические материалы. Том 50. 2014. С. 585-590