International Journal on Minority and Group Rights. Том 10. 2003. С. 203-220
High-temperature buried InP/GaInAsP heterostructure laser diode emitting at 1310 nm
Авторы
Журнал
Номер выпуска
9
Язык
Английский
Страницы
888-891
Статус
Опубликовано
Том
50
Год
2014
Организации
- 1 Росcийский университет дружбы народов
Поделиться
Другие записи
Современное право. 2014. С. 130-134