Исследование вольт-фарадных характеристик hemt-структур, подверженных γ-облучению

Представлены результаты исследования влияния γ-облучения на вольт-фарадные характеристики hemt-структур AlGaN/GaN. Показано, что облучение структур дозой 2.5·10⁶ Р позволяет проводить постростовую коррекцию вольт-фарадных характеристик, выраженную в уменьшении дисперсии между вольт-фарадными характеристиками для эпитаксиальных структур, выращенных в одном цикле. Также установлено, что радиационное воздействие на структуры γ-облучением приводит к сглаживанию пика вольт-фарадных характеристик, проявляющегося в диапазоне частот измерений от 50 до 100 кГц.

The results of a study of the effect of γ-irradiation on the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN hemt-structures are presented. It has been shown that irradiation of structures with a dose of 2.5·10⁶ R allows for post-growth correction of capacitance-voltage characteristics, expressed in a decrease in the dispersion between capacitance-voltage characteristics for epitaxial structures grown in one cycle. It has also been established that the radiation effect on structures by γ-irradiation leads to a smoothing of the peak of capacitance-voltage characteristics, which manifests itself in the measurement frequency range from 50 to 100 kHz.