Радиационно-индуцированные эффекты в широкозонных диэлектриках

Приводятся результаты исследований эмиссии электронов (фотоэффект) с широкозонного диэлектрика SiO₂ под действием электромагнитного излучения в диапазоне энергий квантов 10-1000 eV. Экспериментальные исследования проводились на установке Ангара-5-1. Показано, что взаимодействие излучения с поверхностью диэлектрика сопровождается электронной эмиссией с диэлектрика и возникновением в диэлектрике электрического поля. Описывается применяемая методика измерений. Экспериментально полученные результаты сравниваются с данными математического моделирования.

The results of studies of electron emission (photoelectric effect) from a wide-gap SiO2 dielectric under the influence of electromagnetic radiation in the quantum energy range of 10÷1000 eV are presented. Experimental studies were carried out on the ANGARA-5-1 facility. It is shown that the interaction of radiation with the surface of a dielectric is accompanied by electron emission from the dielectric and the appearance of an electric field in the dielectric. The measurement technique used is described. The experimental results are compared with mathematical modeling data.